自旋交叉分子器件中的负微分电阻

Dongzhe Li; Yongfeng Tong; Kaushik Bairagi; Massine Kelai; Yannick J. Dappe; Jérôme Lagoute; Yann Girard; Sylvie Rousset; Vincent Repain; Cyrille Barreteau; Mads Brandbyge; Alexander Smogunov; Amandine Bellec

doi:10.1021/acs.jpclett.2c01934

自旋交叉分子器件中的负微分电阻

介观与纳米尺度物理 2022-08-12 v2

作者: Dongzhe Li , Yongfeng Tong , Kaushik Bairagi , Massine Kelai , Yannick J. Dappe , Jérôme Lagoute , Yann Girard , Sylvie Rousset , Vincent Repain , Cyrille Barreteau , Mads Brandbyge , Alexander Smogunov , Amandine Bellec

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摘要

我们基于低温扫描隧道显微镜(STM)与谱学，展示了自旋交叉(SCO)分子器件中显著的负微分电阻(NDR)，其中Fe $^{\text{II}}$ SCO分子沉积于表面。STM测量揭示该NDR对衬底材料、温度及SCO层数均具有鲁棒性。这表明NDR与SCO分子的电子结构本质相关。实验结果得到密度泛函理论(DFT)结合非平衡格林函数(NEGF)计算及一个通用理论模型的支持。尽管DFT+NEGF计算对特殊原子级尖锐STM针尖复现了NDR，但该效应归因于能量依赖的针尖态密度而非分子本身。因此我们提出一个涉及三个空间局域化差异极大的分子轨道的库仑阻塞模型，如分子电子结构所提示。

关键词

负微分电阻自旋交叉分子器件扫描隧道显微镜密度泛函理论非平衡格林函数库仑阻塞

引用

@article{arxiv.2206.13767,
  title  = {Negative Differential Resistance in Spin-Crossover Molecular Devices},
  author = {Dongzhe Li and Yongfeng Tong and Kaushik Bairagi and Massine Kelai and Yannick J. Dappe and Jérôme Lagoute and Yann Girard and Sylvie Rousset and Vincent Repain and Cyrille Barreteau and Mads Brandbyge and Alexander Smogunov and Amandine Bellec},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2206.13767},
  year   = {2022}
}

备注

4 figures

自旋交叉分子器件中的负微分电阻

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