全息负微分电阻率
高能物理 - 理论
2011-09-19 v5 统计力学
强关联电子
核理论
摘要
利用AdS/CFT对应，理论上再现了强关联载流子(3+1)维量子系统中的负微分电阻率(NDR)。我们的系统是微观定义的，分析不依赖于任何NDR机制的现象学模型。还考虑了热库与非平衡载流子之间的相互作用。该系统在低温下由于载流子形成中性束缚态而实现绝缘。然而，当施加的外部电场大于临界值时，绝缘被破坏，并出现场致导体相。我们发现，在该相中，NDR恰好出现在临界电场之上，而载流子的对产生对于实现NDR至关重要。本结果表明，在激子绝缘体或强相互作用夸克-胶子等离子体中，有可能观察到类似的NDR，其中绝缘源于中性束缚态的形成。
引用
@article{arxiv.1006.4105,
title = {Negative Differential Resistivity from Holography},
author = {Shin Nakamura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.4105},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 2 figures;V2 typos corrected, reference added;V3: 12 pages by changing the format; comments, references, figures added, NcNf is modified without changing the main results. 4 figures;V4: published version; V5: nothing changed except for the format,10 pages