强耦合单分子 - 金属结器件中负微分电阻的起源
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
提出了一种新机制来解释强耦合单分子 - 金属结中负微分电阻 (NDR) 的起源。展示了夹在一对金电极之间的 Fe-terpyridine 连接体分子的第一性原理量子输运计算。研究发现，随着外加偏压的增加，分子破缺对称波函数中出现了一个新相，该相源于占据和非占据分子轨道的混合。结果，分子与引线之间的耦合发生了非线性变化，从而导致 NDR。该模型可用于解释其他类金属 - 分子结器件中的 NDR。
引用
@article{arxiv.0803.3342,
title = {Origin of negative differential resistance in a strongly coupled single molecule-metal junction device},
author = {Ranjit Pati and Mike McClain and Anirban Bandyopadhyay},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.3342},
year = {2009}
}
备注
Submitted for review on Feb 4, 2008