分子结中振动模式软化导致的尖锐负微分电阻
介观与纳米尺度物理
2020-08-18 v1 化学物理
量子物理
摘要
我们揭示了振动模式软化在高偏压下对单分子电子器件的关键作用。我们的理论分析通过一个分子结的最小模型进行，其中模式软化源于二次电子-振动耦合，并开发了一种平均场方法。我们发现，二次电子-振动耦合系数的负号可以在高电压下实现具有高峰谷比的尖锐负微分电阻（NDR）效应。基于硝基取代的低聚（苯乙炔）结的从头算参数计算得到的电流-电压特性，与测量结果非常吻合。我们的结果证实，振动模式软化是高电压下的一个关键效应，是负微分电阻、显著的二极管效应以及载流分子结击穿的基础。
引用
@article{arxiv.2005.11365,
title = {Sharp negative differential resistance from vibrational mode softening in molecular junctions},
author = {Junjie Liu and Dvira Segal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.11365},
year = {2020}
}
备注
Main text: 6 pages, 3 figures, 1 table; Supplemental material: 9 pages, 8 figures