玫瑰红分子结中负微分电阻的起源
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1 材料科学
摘要
在原子级平整的金(111)表面上，电子性质不同的玫瑰红二聚体和三聚体的结中，负微分电阻（NDR）被调控。分离的分子没有表现出任何NDR。但通过电脉冲可重复地对其邻近分子进行充电，在室温下诱导其表现出具有大峰谷比（1.8~3.1）的双NDR。在结的某些部分，施加脉冲可以破坏该现象，或者通过STM操纵分子来再生该现象。NDR也与极化子性质无关。可以在原子级结中为阳离子NDR（二聚体）写入位1和0，为双阴离子NDR（三聚体）写入00、01、10、11，从而产生2/4位存储器，显示了结电子学在分子电子学未来中的重要性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610683,
title = {Origin of negative differential resistance in molecular junctions of Rose Bengal},
author = {Anirban Bandyopadhyay and Y. Wakayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610683},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 3 figures, communicated