扫描隧道显微镜中的负微分电阻：基于 C$_{60}$ 分子覆盖层的模拟
介观与纳米尺度物理
2015-03-17 v1 材料科学
摘要
我们通过从头算电子输运模拟，确定了文献 [Phys. Rev. Lett. {\bf 100}, 036807 (2008)] 中基于 C 的分子器件出现负微分电阻 (NDR) 的条件。我们的计算能够获取分子器件依赖于偏压的内在性质，例如能级及其部分宽度。我们表明，这些量取决于该器件中分子-分子以及分子-电极的相互作用。因此，通过利用这两种相互作用来改变能级和宽度的偏压行为，可以对 NDR 进行调控。
引用
@article{arxiv.1101.3714,
title = {Negative differential resistance in scanning tunneling microscopy: simulations on C$_{60}$-based molecular overlayers},
author = {Frederico D. Novaes and Manuel Cobian and Alberto Garcia and Pablo Ordejon and Hiromu Ueba and Nicolas Lorente},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.3714},
year = {2015}
}
备注
4 pages 4 figures