短沟道石墨烯 FET 中由接触诱导的负微分电阻
介观与纳米尺度物理
2012-12-27 v2
摘要
在本工作中，我们通过非平衡格林函数 (NEGF) 模拟和一个捕捉基本物理原理的更简单的半解析弹道模型，阐明了短沟道石墨烯场效应晶体管 (GFETs) 中负输出微分电阻 (NDR) 现象的物理机制。这种 NDR 现象是由于石墨烯狄拉克点在不同器件区域（包括接触区）诱导的输运模式瓶颈效应所致。研究发现，仅当栅极偏置在沟道中产生 n-p-n 或 p-n-p 极性构型时，无论漏源电压扫描为正还是为负，都会发生 NDR。此外，我们还探讨了源区和漏区中接触诱导的能量展宽以及有限接触电阻对 NDR 效应的影响。
引用
@article{arxiv.1208.2156,
title = {Contact-induced negative differential resistance in short-channel graphene FETs},
author = {Roberto Grassi and Tony Low and Antonio Gnudi and Giorgio Baccarani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.2156},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 9 figures