非对称耦合单分子结中的可调磁电阻

Ben Warner; Fadi El Hallak; Henning Prüser; John Sharp; Mats Persson; Andrew J. Fisher; Cyrus F. Hirjibehedin

doi:10.1038/nnano.2014.326

非对称耦合单分子结中的可调磁电阻

介观与纳米尺度物理 2015-10-09 v1

作者: Ben Warner , Fadi El Hallak , Henning Prüser , John Sharp , Mats Persson , Andrew J. Fisher , Cyrus F. Hirjibehedin

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摘要

对磁场高度敏感的现象可用于传感器和非易失性存储器。将此类现象缩小到单分子水平可能实现新型自旋电子器件。在此，我们报道了单分子结中的磁电阻，其源于负微分电阻在磁场中以比塞曼位移大两个数量级的速率移动。这种对磁场的敏感性产生了两种电压可调的磁电阻形式，可通过外加偏压进行选择。该负微分电阻由位于 Cu(001) 表面上单层氮化铜 (Cu2N) 上的铁酞菁 (FePc) 分子的瞬态充电引起，并出现在填充和空分子态中的尖锐共振与 Cu(001) 费米能对齐所对应的电压处。一种非对称分压效应增强了负微分电阻随磁场的表观电压偏移，而该偏移本质上处于塞曼能量尺度。这些结果阐明了与金属电极的非对称耦合对分子输运的影响，并凸显了如何利用这种耦合来开发分子自旋电子学应用。

关键词

磁电阻单分子结负微分电阻铁酞菁非对称耦合自旋电子学分子输运

引用

@article{arxiv.1510.02204,
  title  = {Tunable magnetoresistance in an asymmetrically coupled single molecule junction},
  author = {Ben Warner and Fadi El Hallak and Henning Prüser and John Sharp and Mats Persson and Andrew J. Fisher and Cyrus F. Hirjibehedin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1510.02204},
  year   = {2015}
}

备注

15 pages, 5 figures

非对称耦合单分子结中的可调磁电阻

摘要

关键词

引用

备注

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