基于石墨烯材料的 Fe3GeTe2/MoSe2/Fe3GeTe2 隧道结电压可调磁阻 sign 反转

基于石墨烯材料的磁性隧道结（MTJ）具有原子级光滑的界面，并尽可能少的元素混合。这种特征确保了在传输过程中保持旋磁分极，从而导致更丰富的磁阻行为的出现。本文利用基于磁性金属 Fe3GeTe2 和非磁性半导体 MoSe2 的所有二维石墨烯 MTJ，演示了磁阻的幅度甚至符号均可通过施加电压进行调节。磁阻的 sign 反转在低于 Curie 温度的宽温度范围内观察到。这种可调的磁阻可能归因于隧道载流子的旋磁分极以及两个铁磁电极的能带结构。这种鲁棒的电磁调控 extends 了低维自旋电子学的功能，并使其更具吸引力用于下一代基于所有石墨烯 MTJ 的自旋电子学。