扭转 Fe3GeTe2/Fe3GeTe2 结中平台状磁电阻的观测
材料科学
2020-08-20 v1 强关联电子
摘要
控制范德瓦耳斯（vdW）材料的堆垛被发现可产生令人振奋的新发现，因为异质或同质结构增添了组装与调控功能的多样可能。然而，迄今为止，基于磁性 vdW 材料的带扭转角的同质结构仍未被探索。在此，我们实现了具有破缺晶体对称性的扭转磁性 vdW Fe3GeTe2/Fe3GeTe2 结。温度依赖电阻与线性 I-V 曲线证实了这是一个洁净的金属性 vdW 结。与原始 FGT 不同，由于两层 FGT 的反平行磁构型，在我们的同质结的磁输运中观测到平台状磁电阻（PMR）。发现 PMR 比约为 0.05%，并随温度降低而单调增强，类似于金属性巨磁电阻（GMR）。如此微小的 PMR 比至少比隧穿磁电阻（TMR）比小三个数量级，印证了我们无间隔层的洁净金属性结。我们的发现证明了可控同质结构的可行性，并为未来基于磁性 vdW 材料的自旋电子学带来启示。
引用
@article{arxiv.2008.08313,
title = {Observation of plateau-like magnetoresistance in twisted Fe3GeTe2/Fe3GeTe2 junction},
author = {Junghyun Kim and Suhan Son and Matthew. J. Coak and Inho Hwang and Youjin Lee and Kaixuan Zhang and Je-Geun Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.08313},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 4 figures, accepted for publication in Journal of Applied physics