范德瓦耳斯异质结构中的电流垂直面巨磁电阻效应
材料科学
2021-10-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用第一性原理计算研究了具有Fe3GeTe2/XTe2/Fe3GeTe2（X = Pt, Pd）结构的全范德瓦耳斯（vdW）巨磁电阻（GMR）结中的自旋相关输运。在电流垂直面（CPP）几何下计算了弹道电导、磁电阻（MR）和电阻-面积积（RA）。在所提出的vdW CPP GMR中发现了约2000%的巨磁电阻和小于0.3 {\Omega} {\mu}m2的RA。此外，还研究了自旋轨道耦合对输运和各向异性磁电阻（AMR）的影响。计算得到Fe3GeTe2/三层-PdTe2/Fe3GeTe2 CPP GMR中的AMR约为20%。所提出vdW CPP GMR中的GMR与AMR均主要源于Fe3GeTe2的体态电子结构性质。本工作展示了一种具有垂直磁各向异性、大GMR、低RA以及可观AMR等优越优势的vdW CPP GMR，可激发未来的实验探索，并因其在包括磁传感器和存储器在内的自旋电子器件中的应用而具吸引力。
引用
@article{arxiv.2110.02535,
title = {Current-Perpendicular-to-Plane Giant Magnetoresistance Effect in van der Waals Heterostructures},
author = {Xinlu Li and Yurong Su and Meng Zhu and Fanxing Zheng and Peina Zhang and Jia Zhang and Jing-Tao Lü},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.02535},
year = {2021}
}