具有电流限制通道的 CPP-GMR 系统的等效电阻失配与磁阻
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们在 Valet-Fert 理论框架下，从理论上研究了具有电流限制通道（CCP）的 CPP-GMR 系统的磁阻。利用有限元方法，数值求解了三维 CCP 几何结构下的电荷和自旋流连续性方程。结果证实，CCP 结构增强了磁阻比，这与实验结果一致。此外，我们发现存在一个特定的接触宽度，能使磁阻比最大化。我们表明，使磁阻比最大化的接触宽度可以用等效电阻匹配来很好地描述。
引用
@article{arxiv.0806.3314,
title = {Effective Resistance Mismatch and Magnetoresistance of a CPP-GMR system with Current-Confined-Paths},
author = {Jun Sato and Katsuyoshi Matsushita and Hiroshi Imamura},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.3314},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures