分子结的反磁阻效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2
摘要
我们计算了通过桥接一对铁纳米接触的单个有机分子的自旋相关电子输运。我们预测，随着外加偏压的增加，这些系统的磁阻将从正变负，且这一现象对导电和绝缘分子均成立。这种新颖的反磁阻现象具有稳健性，不依赖于杂质的存在，且为分子和原子尺度磁性结所独有。我们确定了其物理起源，并讨论了其与实验及潜在技术应用的相关性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507126,
title = {Inverse Magnetoresistance of Molecular Junctions},
author = {Hugh Dalgleish and George Kirczenow},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507126},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures; published version Phys. Rev. B