基于磁隧道结的分子自旋电子器件的巨电阻变化
材料科学
2019-12-04 v1
摘要
共价连接于两个铁磁电极之间的分子桥能够改变铁磁材料并产生引人注目的自旋输运特性。本文讨论了分子诱导强耦合对自旋输运的影响。为研究分子耦合效应，将有机金属分子配合物（OMC）沿暴露的侧边桥接在磁隧道结（Ta/Co/NiFe/AlOx/NiFe/Ta）的两个铁磁电极之间。OMC诱导了铁磁电极间的强耦合，从而在室温下使磁隧道结测试平台的输运特性发生剧烈变化。这些OMC还改变了磁隧道结的磁学性质。SQUID与铁磁共振研究提供了深入的数据，用以解释基于磁隧道结的分子自旋电子器件上的输运研究。
引用
@article{arxiv.1912.01305,
title = {Large Resistance Change on Magnetic Tunnel Junction based Molecular Spintronics Devices},
author = {Pawan Tyagi and Edward Friebe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.01305},
year = {2019}
}
备注
11 Pages, 5 Figures