载流子迁移率和形貌对有机半导体自旋阀的影响
材料科学
2012-05-14 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了四种具有不同电子性质的有机半导体（OSC）中的自旋输运，以Fe和Co分别作为顶部和底部铁磁（FM）接触。在基于电子传输型OSC——三(8-羟基喹啉)铝（Alq）和空穴传输型OSC——酞菁铜（CuPc）的结中，观察到了高达室温的磁电阻（MR）效应。这两种OSC的MR表现出相似的温度依赖性，这表明随着温度升高，FM引线而非OSC在自旋输运退化中起主导作用。我们还研究了基于两种高横向迁移率电子传输型OSC——3,4,9,10-苝四甲酸二酐（PTCDA）和N,N'-双(4-三氟甲基苄基)-1,4,5,8-萘四甲酸二酰亚胺（CF-NTCDI）的结。然而，这些结显示出弱得多的自旋输运效应。形貌研究表明，这些高迁移率OSC薄膜的表面比Alq或CuPc粗糙得多，因此自旋输运的退化可能源于更粗糙的FM/OSC界面引起的增强散射。我们的研究表明，FM/OSC界面在有机器件中的自旋输运中起着重要作用，需要进一步探索。
引用
@article{arxiv.1205.2438,
title = {Effects of carrier mobility and morphology in organic semiconductor spin valves},
author = {Yaohua Liu and Taegweon Lee and Howard E. Katz and Daniel H. Reich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.2438},
year = {2012}
}
备注
4 pages, The 53rd Annual Conference On Magnetism And Magnetic Materials