柔性胺 - 金连接对有机自旋电子学中隧穿磁电阻的界面效应
材料科学
2015-06-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
有机自旋电子学是一个前景广阔的新兴领域，但隧穿磁电阻 (TMR) 的符号对界面效应高度敏感，这是应用的关键障碍。分子电子学的一个关键突破是发现了胺 - 金 (amine-Au) 连接基团，它能提供可重复的电导。利用第一性原理计算，我们预测胺 - 金连接能在具有金覆盖铁 (Fe) 引线的有机自旋电子学结中提供改进的可重复性。金层仅允许具有 sp 特征的态隧穿进入分子，而胺 - 金连接的柔性导致在固定金层数下 TMR 的范围较窄。即使金厚度发生变化，只要结两侧的金层数相同，TMR 仍保持正值。由于现在可以在实验上控制 Fe 表面或 Fe 纳米颗粒上的金层数，胺 - 金连接为有机自旋电子学中稳健的 TMR 提供了一条途径。
引用
@article{arxiv.1310.2324,
title = {Interface Effects on Tunneling Magnetoresistance in Organic Spintronics with Flexible Amine-Au Links},
author = {Narjes Gorjizadeh and Su Ying Quek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.2324},
year = {2015}
}