分子诱导磁性隧道结铁磁电极间的强交换耦合
材料科学
2019-12-04 v1
摘要
多层边缘分子自旋电子学器件（MEMSD）方法可为计算机制造新型逻辑和存储单元。MEMSD 通过在磁性隧道结（MTJ）暴露的边缘区域，跨越绝缘层桥接分子通道来制备。桥接的分子通道随后成为 MTJ 两个铁磁电极之间的主要交换耦合介质。本研究聚焦于分子增强的交换耦合对 MTJ 磁性的影响。本文表明，有机金属分子团簇（OMCs）显著增强了两个铁磁电极之间的磁耦合。SQUID 磁强计显示，OMCs 将 Co/NiFe/AlOx/NiFe MTJ 的典型磁滞回线转变为线性曲线。铁磁共振研究表明，OMC 桥影响了 Co/NiFe/AlOx/NiFe MTJ 的两个基本共振峰。根据磁力显微镜观察，OMCs 导致 Co/NiFe/AlOx/NiFe 隧道结区域的磁衬度消失。这三个独立且互补的实验表明，产生了极强的层间交换耦合。这项工作描绘了一条控制铁磁电极间交换耦合的实用途径。定制磁耦合的能力可促成基于分子的量子计算器件架构的发展。
引用
@article{arxiv.1110.0885,
title = {Molecule Induced Strong Exchange Coupling between Ferromagnetic Electrodes of a Magnetic Tunnel Junction},
author = {Pawan Tyagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.0885},
year = {2019}
}
备注
34 Pages, 16 Figures, 1 Table