多铁隧道结中的非易失多级电阻态
材料科学
2019-11-26 v1
摘要
通过夹在两个铁磁电极之间的铁电中间层对隧穿自旋极化电子进行调控（称为多铁隧道结，MFTJ），不仅可通过两个铁磁体的磁化对齐实现，也可通过铁电中间层的电极化实现，这为下一代多态存储器件提供了巨大机遇。本文展示了一种 La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO)/PbZr0.2Ti0.8O3(PZT)/Co 结构的 MFTJ 器件，在铁电畴逐渐反转的情况下，可分别通过隧穿电阻效应和隧穿磁阻效应表现出多级电阻态。MFTJ 中的非易失铁电调控可归因于 PZT 中间层中具有相反极化的两个独立铁电通道所产生的分别贡献。我们的研究显示了“混合”铁电态在实现 MFTJ 中多级电阻态的累积电学调控方面的主导作用，为多功能器件应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1910.02002,
title = {Nonvolatile Multilevel States in Multiferroic Tunnel Junctions},
author = {Mei Fang and Sangjian Zhang and Wenchao Zhang and Lu Jiang and Eric Vetter and Ho Nyung Lee and Xiaoshan Xu and Dali Sun and Jian Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.02002},
year = {2019}
}