基于全氧化物非对称多铁隧道结的信息存储与逻辑处理集成
材料科学
2019-06-25 v1
摘要
多铁隧道结（MFTJs）已被证明是自旋电子器件应用中有前景的候选者。MFTJs 中隧道磁阻（TMR）与隧道电阻（TER）的耦合可在单个存储单元中提供四种不同的电阻态。本文中，我们展示在具有 p 型和 n 型电极的 La0.7Sr0.3MnO3 /PbZr0.2Ti0.8O3 /La0.7Te0.3MnO3（LSMO/PZT/LTMO）全氧化物非对称 MFTJ 中，观察到本征整流现象，并可由 PZT 的铁电极化调控。由于 TMR、TER 与二极管效应的结合，在相反读取偏压下实现了两组不同的四电阻态。借助两个并联非对称结及适当的串联电阻，可在同一阵列器件中实现逻辑单元与四进制存储单元的共存。该非对称 MFTJ 结构为设计具有更高存储密度、更低能耗和显著提升集成度的下一代多态存储与逻辑器件提供了更多可能。
引用
@article{arxiv.1906.09993,
title = {Combination of informational storage and logical processing based on an all-oxide asymmetric multiferroic tunnel junction},
author = {Q. Liu and J. Miao and Z. D. Xu and P. F. Liu and Q. H. Zhang and L. Gu and K. K. Meng and X. G. Xu and J. K. Chen and Y. Wu and Y. Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.09993},
year = {2019}
}