基于铁电 Hf0.5Zr0.5O2 隧穿势垒的磁隧道结
应用物理
2019-09-10 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
位于两个铁磁电极之间的铁电隧穿势垒（多铁隧道结，MFTJ）是未来微电子器件最有前景的概念之一。与此同时，基于铪氧化物的铁电材料在器件微型化至纳米尺度方面展现出巨大潜力。在此，我们利用仅 2 nm 厚、外延生长于 La0.7Sr0.3MnO3（LSMO）铁磁电极上的铁电 Hf0.5Zr0.5O2（HZO）作为大带隙绝缘势垒，集成于以钴为顶电极的 MFTJ 中。正如先前对其他具有类似电极的 MFTJ 所报道的，隧穿磁阻（TMR）可被调控，其符号甚至可由结两端的偏置电压反转。我们展示了在该体系中由磁场和电场开关产生且具有高重现性的四种非易失电阻态。
引用
@article{arxiv.1902.08021,
title = {Magnetic tunnel junctions based on ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 tunnel barriers},
author = {Yingfen Wei and Sylvia Matzen and Guillaume Agnus and Mart Salverda and Pavan Nukala and Thomas Maroutian and Qihong Chen and Jianting Ye and Philippe Lecoeur and Beatriz Noheda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.08021},
year = {2019}
}