超薄氧化物异质结中界面相变诱导的隧穿电致电阻效应
材料科学
2013-11-20 v1 强关联电子
摘要
铁电（FE）对电子输运的控制是氧化物异质结中的新兴技术之一。以往关于铁电隧道结（FTJ）的许多研究仅利用了由铁电极化方向变化引起的跨越 FTJ 的静电势差异。在此，我们表明在实际应用中，通过关联电子氧化物电极的静电修饰，可以进一步增强两种极化状态之间的结电流比率，并且具有纳米级薄层的 FTJ 能够在室温下有效产生相当大的电致电阻比率。为了理解这些令人惊讶的结果，我们采用了一个额外的控制参数，该参数与关联电子氧化物的电子和磁相界的穿越有关。异质界面处的铁电诱导相调制最终导致了增强的电致电阻效应。我们的研究强调，跨越异质界面的自由度之间的强耦合可能在氧化物电子学中产生多样化和新颖的应用。
引用
@article{arxiv.1311.4874,
title = {Tunneling Electroresistance Induced by Interfacial Phase Transitions in Ultrathin Oxide Heterostructures},
author = {Lu Jiang and Woo Seok Choi and Hyoungjeen Jeen and Shuai Dong and Yunseok Kim and Myung-Geun Han and Yimei Zhu and Sergei V. Kalinin and Elbio Dagotto and Takeshi Egami and Ho Nyung Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.4874},
year = {2013}
}
备注
23 pages, 5 figures, 1 supporting information