磁性隧道结中隧道磁阻抗的频率驱动反转
介观与纳米尺度物理
2017-02-08 v1
摘要
磁性隧道结（MTJs）是诸如磁性随机存取存储器（MRAMs）等器件的基本构建模块。非易失性高频存储器在现代计算中的重要性，使得对 MTJs 的交流输运测量对于探索这一领域至关重要。在此，我们展示了一种频率介导的效应，其中隧道磁阻抗在经典的 Co/Al{_2}O{_3}/NiFe MTJ 中发生符号反转，而我们仅观察到隧道磁相位的逐渐减小。此类效应可通过 MTJ 等效电路模型中并联电阻和电容的容性耦合来解释。此外，我们报告了一种正的隧道磁电容效应，表明在两个铁磁体/隧道势垒界面处存在自旋电容。我们的结果对于理解高频区域的自旋输运现象至关重要，在该区域中，两个界面处的自旋极化电荷积累起着关键作用。
引用
@article{arxiv.1603.00933,
title = {Frequency driven inversion of tunnel magnetoimpedance in magnetic tunnel junctions},
author = {Subir Parui and Mário Ribeiro and Ainhoa Atxabal and Amilcar Bedoya-Pinto and Xiangnan Sun and Roger Llopis and Fèlix Casanova and Luis E. Hueso},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.00933},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 7 figures