石墨烯超晶格中稳健的低偏压负微分电阻
介观与纳米尺度物理
2017-06-28 v4
摘要
本文详细研究了具有异质结构衬底、并在石墨烯片上放置一系列接地金属平面（从而诱导出周期性调制的狄拉克隙和费米速度势垒）的石墨烯超晶格（GSL）共振隧穿二极管（RTD）的低偏压电流-电压（I-V）特性。我们在 Landauer-Buttiker 形式体系及所采用的转移矩阵方法中考察了 GSL 参数对 I-V 特性的影响。我们展示了这些参数的工程设计如何在所提器件中产生多峰 NDR（负微分电阻）。此外，我们提供了一种通过费米速度工程控制 GSL 中 NDR 的新途径。据此，我们通过 GSL 中的微带对齐获得了多峰 NDR。在关联速度为 1.9、偏压介于 70-130 mV 时，获得高达 167 的峰谷比（PVR）。我们在低偏压区和高 PVR 多峰 NDR 方面的发现，在多值存储功能电路、低功耗和高速纳米电子器件应用中具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1605.02195,
title = {Robust Low-Bias Negative Differential Resistance in Graphene Superlattices},
author = {S. M. Sattari Esfahlan and J. Fouladi Oskuei and S. Shojaei},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.02195},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 5 Figures