基于范德瓦耳斯异质结的浮栅光电晶体管中的负光电导
介观与纳米尺度物理
2018-08-21 v1
摘要
由二维材料构成的范德瓦耳斯（vdW）异质结由于强光-物质相互作用，已被证明是光电子应用的多功能架构。然而，vdW 异质结中大多数光控现象和应用依赖于正光电导（PPC）。负光电导（NPC）尚未在 vdW 异质结中有过报道。在此，我们报道在基于 ReS2/h-BN/MoS2 vdW 异质结的浮栅光电晶体管中观察到 NPC。所制备的器件在无光照下表现出优异的非易失性存储器性能。更有趣的是，我们观察到在光照下 PPC 与 NPC 之间可由栅极调控的过渡。所观察到的 NPC 现象可归因于浮栅与导电沟道之间的电荷转移。此外，我们展示了通过光强控制 NPC 在实现光可调多位存储器件方面的前景。我们的结果可能使多功能存储器与光电子器件中的潜在应用成为可能。
引用
@article{arxiv.1808.06081,
title = {Negative Photoconductance in van der Waals Heterostructures-Based Floating Gate Phototransistor},
author = {Yu Wang and Erfu Liu and Anyuan Gao and Tianjun Cao and Mingsheng Long and Chen Pan and Lili Zhang and Junwen Zeng and Chenyu Wang and Weida Hu and Shi-Jun Liang and Feng Miao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.06081},
year = {2018}
}
备注
21 pages, 4 figures, accepted by ACS Nano