实现负微分电阻模式可重构场效应晶体管的挑战与机遇

Lephe S; Gifrin Fredik Raj S; Abijesh Euphrine A; Janaki S; Jamina C; Arun Jose L

实现负微分电阻模式可重构场效应晶体管的挑战与机遇

材料科学 2024-01-30 v2 无序系统与神经网络应用物理

作者: Lephe S , Gifrin Fredik Raj S , Abijesh Euphrine A , Janaki S , Jamina C , Arun Jose L

摘要

理想情况下，世界依赖于器件的紧凑性，因为它们能在给定的占位面积内驱动集成电路功能的增强，这正变得越来越可靠。为了降低器件的可扩展性，已概述了一种利用晶体管上负微分电阻（NDR）模式可重构功能的方法。作为一个独立的器件，它能在相同的物理电路中以不同的配置高效地执行不同的任务。从可重构晶体管的角度来看，可能实现从 p 型到 n 型沟道晶体管的重构，这已被作为一种新兴应用，例如静态存储单元、快速开关逻辑电路以及高能效计算多值逻辑。本文重点介绍了 NDR 模式 RFET 及其分类，随后探讨了增强 RFET 技术的概念，并简要讨论了 RFET 的未来潜力及其在硬件安全和神经形态计算等日益增长的应用。

关键词

负微分电阻可重构场效应晶体管 RFET 多值逻辑硬件安全神经形态计算

引用

@article{arxiv.2312.08351,
  title  = {Challenges and Opportunities in Implementing Negative Differential Resistance Mode Reconfigurable Field Effect Transistors},
  author = {Lephe S and Gifrin Fredik Raj S and Abijesh Euphrine A and Janaki S and Jamina C and Arun Jose L},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2312.08351},
  year   = {2024}
}

备注

28 pages, 9 figures

实现负微分电阻模式可重构场效应晶体管的挑战与机遇

摘要

关键词

引用

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