双栅可重构纳米线晶体管的性能研究
应用物理
2021-08-05 v1
摘要
我们研究了双栅可重构场效应晶体管(RFET)在编程栅位于漏端(PGAD)与编程栅位于源端(PGAS)配置下的工作机理。为此,基于各向异性湿化学硅刻蚀与镍硅化工艺制备了双栅硅纳米线(SiNW)FET,在源漏处形成硅化物-SiNW 肖特基结。在 PGAD 配置中,双极性工作被抑制,但由于经由肖特基势垒的注入,开关特性劣化。将 RFET 工作于 PGAS 配置则产生接近传统 MOSFET 的开关行为。然而,这需以小幅偏压下强非线性输出特性作为权衡。
引用
@article{arxiv.2103.00096,
title = {On the Performance of Dual-Gate Reconfigurable Nanowire Transistors},
author = {Bin Sun and Benjamin Richstein and Patrick Liebisch and Thorben Frahm and Stefan Scholz and Jens Trommer and Thomas Mikolajick and Joachim Knoch},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.00096},
year = {2021}
}
备注
5 pages