新型肖特基栅双极模式场效应晶体管（SBMFET）：基于二维仿真的设计与分析
介观与纳米尺度物理
2010-08-19 v1
摘要
提出了一种新型肖特基栅双极模式场效应晶体管（SBMFET），并通过二维仿真进行了验证。与使用深扩散p+区作为栅极的传统BMFET不同，所提出的器件利用在硅平面表面形成的肖特基栅极向漂移区注入少数载流子。与传统BMFET相比，SBMFET被证明具有更高的电流增益、相同的击穿电压和导通压降。由于SBMFET的制造工艺简单得多，且无需P+栅极的深热扩散，因此预计SBMFET在中功率大电流开关应用中具有重要的实际意义。
引用
@article{arxiv.1008.3012,
title = {New Schottky-gate Bipolar Mode Field Effect Transistor (SBMFET): Design and Analysis using Two-dimensional Simulation},
author = {M. Jagadesh Kumar and Harsh Bahl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3012},
year = {2010}
}
备注
Journal Paper