一种低温工作的平面Al-Si肖特基势垒MOSFET
介观与纳米尺度物理
2015-08-13 v2 材料科学
摘要
肖特基势垒(SB)-MOSFET技术为低温纳米尺度器件（如硅量子器件和超导器件）提供了引人入胜的可能性。我们给出了一种新型器件架构的实验结果，其中栅电极与器件沟道自对准并覆盖源极和漏极电极。这使得源/漏与沟道之间实现亚5 nm间隙，且不需要间隔物。在低温下，此类器件用作p-MOS隧穿FET，这由Al-Si界面的肖特基势垒决定；作为进一步优势，其制造工艺与CMOS和超导逻辑技术均兼容。
引用
@article{arxiv.1506.01224,
title = {A planar Al-Si Schottky Barrier MOSFET operated at cryogenic temperatures},
author = {Wendy E. Purches and Alessandro Rossi and Ruichen Zhao and Sergey Kafanov and Timothy L. Duty and Andrew S. Dzurak and Sven Rogge and Giuseppe C. Tettamanzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.01224},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 4 figures, minor changes from the previous version 1