用于无掺杂 CMOS 的电可重构双金属栅平面场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2014-04-11 v1 材料科学
摘要
本文通过仿真演示了静电掺杂且因此可重构的平面场效应晶体管 (FET) 结构的可行性，该结构基于我们已制造并发表的硅纳米线 (SiNW) 器件。这种双栅通用 FET 的技术基石是在绝缘体上硅 (SOI) 衬底上的肖特基源/漏结。晶体管类型（即 n 型或 p 型 FET）可通过施加适当的控制栅电压在运行时电学选择，这显著提高了数字集成电路设计的多功能性和灵活性。
引用
@article{arxiv.1404.2879,
title = {Electrically Reconfigurable Dual Metal-Gate Planar Field-Effect Transistor for Dopant-free CMOS},
author = {Tillmann Krauss and Frank Wessely and Udo Schwalke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.2879},
year = {2014}
}
备注
Nanoarch 2014 Paris