自上而下制造具有两个对称高电流导通状态的可重构场效应晶体管
应用物理
2020-07-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了一种基于硅纳米线的自上而下制造的可重构场效应晶体管（RFET），可以通过静电编程为p型和n型配置。该器件具有高对称性的转移特性、两种配置下的高开/关电流比以及与其他自上而下制造的RFET相比优越的电流密度。在导线内部形成两个NiSi2/Si肖特基结，并分别进行栅控。通过重复的SiO2刻蚀和生长序列以及保形TiN沉积制造窄欧米茄栅通道。调整栅极和肖特基接触金属功函数以及氧化物对肖特基结施加的压应力，使得在绝对值相同的栅极电压和相同的漏极电压下，p型电流仅比n型电流高1.6倍。
引用
@article{arxiv.2007.01112,
title = {Top-down fabricated reconfigurable FET with two symmetric and high-current on-states},
author = {Maik Simon and Boshen Liang and Dustin Fischer and Martin Knaut and Alexander Tahn and Thomas Mikolajick and Walter M. Weber},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.01112},
year = {2020}
}
备注
Nanowires, Reconfigurable field effect transistors, Polarity control, Electrostatic doping, Silicon on insulator technology, Omega-gates, Multiple-gate devices