负电容克服氮化镓高电子迁移率晶体管的斯奈克门限限制
材料科学
2025-07-14 v1 应用物理
摘要
对于基于二维电子气(2DEG)的高电子迁移率晶体管，例如基于AlGaN/GaN异质结构的晶体管，使用斯奈克栅极可最大化可诱导的电荷量，从而实现更大的漏电流。将常规介电层置于氮化物层与栅金属之间可降低漏电流；但这以牺牲漏电流为代价。本文采用铌氧化物-锆氧化物双层作为栅极介电层，实现了ON电流增加和漏电流同步降低的效果，这是常规介电层难以实现的。该方法超越了传统斯奈克GaN晶体管的局限性，为基于2DEG的晶体管性能提升提供了新路径。
引用
@article{arxiv.2506.16758,
title = {Negative capacitance overcomes Schottky-gate limits in GaN high-electron-mobility transistors},
author = {Asir Intisar Khan and Jeong-Kyu Kim and Urmita Sikder and Koushik Das and Thomas Rodriguez and Rohith Soman and Srabanti Chowdhury and Sayeef Salahuddin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.16758},
year = {2025}
}