溅射金作为应变Si/SiGe纳米结构的有效肖特基栅极
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
通过在应变Si/SiGe异质结上溅射Au来实现肖特基表面栅极的金属化，能够在相对较小的电压下耗尽二维电子气（2DEG），同时保持极低的漏电流水平。我们开发了一种制造工艺，无需润湿层即可在Si/SiGe上形成亚微米Au电极。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611158,
title = {Sputtered Gold as an Effective Schottky Gate for Strained Si/SiGe Nanostructures},
author = {G. D. Scott and M. Xiao and E. T. Croke and E. Yablonovitch and H. W. Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611158},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 3 figures