无核自旋Si/SiGe异质结构中的肖特基顶栅二维电子系统
介观与纳米尺度物理
2009-01-19 v1 材料科学
摘要
我们报道了利用分子束外延中的28Si和70Ge源材料，在无核自旋环境中实现并顶栅调控一个二维电子系统。在无核自旋材料中，电子自旋退相干预计将被最小化，使其成为基于固态的量子信息处理设备的有前景的宿主。该二维电子系统在低温下，当薄层载流子密度为4.6E11 cm-2时，迁移率为18000 cm2/Vs。通过使用钯肖特基顶栅实现的劈裂栅结构的输运，展示了可靠栅控的可行性，该顶栅有效控制了下方的二维电子系统。我们的工作为在无核自旋环境中实现静电定义的量子点奠定了基础。
引用
@article{arxiv.0901.2433,
title = {A Schottky top-gated two-dimensional electron system in a nuclear spin free Si/SiGe heterostructure},
author = {J. Sailer and V. Lang and G. Abstreiter and G. Tsuchiya and K. M. Itoh and J. W. Ager and E. E. Haller and D. Kupidura and D. Harbusch and S. Ludwig and D. Bougeard},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.2433},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 3 figures