用于异构结构中强相互作用二维电子体系的三栅极技术
介观与纳米尺度物理
2024-10-10 v2 强关联电子
摘要
我们发展了一种显著降低接触电阻并消除 SiGe/Si/SiGe 异构结构中外部栅极之间 shunt 通道的技术。该技术涉及在结构上方创建三个重叠的独立栅极，允许在低电子密度下进行于 millikelvin 低温下的强相互作用极限下的传输测量。在能量尺度中，电子-电子相互作用能量主导所有其他能量尺度。该设计允许观察两种阈值电压-电流特性，这是电子固体集体脱夹和滑动的标志。
引用
@article{arxiv.2405.18229,
title = {Triple-top-gate technique for studying the strongly interacting 2D electron systems in heterostructures},
author = {M. Yu. Melnikov and A. A. Shashkin and S. -H. Huang and C. W. Liu and S. V. Kravchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.18229},
year = {2024}
}