低电子密度区硅霍尔棒MOSFET器件的重叠栅极架构
介观与纳米尺度物理
2010-10-13 v1 材料科学
摘要
我们报告了霍尔棒MOSFET器件的制备与研究，其中采用重叠栅极架构，可在保持欧姆接触处高密度的同时，对低密度二维电子系统进行四端测量。与使用标准单栅极制造的器件相比，尽管峰值迁移率有所降低，但测量可在更低密度和更高沟道电阻下进行。我们还观察到电压阈值偏移，我们将其归因于电子束光刻处理过程中注入的负氧化层电荷。
引用
@article{arxiv.1009.3109,
title = {Overlapping-gate architecture for silicon Hall bar MOSFET devices in the low electron density regime},
author = {Laurens H. Willems van Beveren and Kuan Y. Tan and Nai-Shyan Lai and Andrew S. Dzurak and Alex R. Hamilton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.3109},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted for Applied Physics Letters