具有可调横向几何结构的增强型双顶栅MOS纳米结构
介观与纳米尺度物理
2009-11-18 v2
摘要
我们展示了硅(Si)金属-氧化物-半导体(MOS)纳米结构的测量结果，这些结构采用一种能够实现几乎任意栅极几何形状的工艺制造。在具有开放横向量子点几何结构的多个MOS量子点中，观察到了稳定的库仑阻塞行为，且没有受到寄生点形成的影响。我们测量了关键工艺步骤中迁移率的下降和电荷缺陷密度(即界面陷阱和固定氧化物电荷)的增加，并将低无序行为与定量缺陷密度关联起来。这项工作提供了关于硅量子点不表现出寄生点形成的缺陷密度的定量指导，这在以前尚未建立。这些器件采用双层栅极堆叠结构，其中许多区域，包括关键的栅极氧化物，都是在完全合格的CMOS设施中制造的。
引用
@article{arxiv.0906.3748,
title = {Enhancement mode double top gated MOS nanostructures with tunable lateral geometry},
author = {E. P. Nordberg and G. A. Ten Eyck and H. L. Stalford and R. P. Muller and R. W. Young and K. Eng and L. A. Tracy and K. D. Childs and J. R. Wendt and R. K. Grubbs and J. Stevens and M. P. Lilly and M. A. Eriksson and M. S. Carroll},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.3748},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 6 figures, 3 tables, accepted for publication in Phys. Rev. B