具有可调横向几何结构的增强型埋层应变硅沟道量子点
介观与纳米尺度物理
2011-07-28 v1
摘要
我们提出并演示了一种用于量子点的弛豫 SiGe/应变 Si (SiGe/s-Si) 增强型栅极堆叠。采用增强型 SiGe/s-Si 结构是为了使量子点远离富含电荷和自旋缺陷的介电界面，并最大限度地减少背景掺杂。在经历与量子点相同器件工艺流程的霍尔棒中，于 5.8×10^11/cm^2 的载流子浓度下测得 1.6×10^5 cm^2/Vs 的迁移率。在双顶栅横向量子点纳米结构中观测到了周期性库仑阻塞 (CB)。库仑阻塞在器件两端施加高达 ±10 mV 直流电压时以开放菱形终止。这些器件是在 150 mm 硅代工环境中制造的，该环境使用注入欧姆接触和化学气相沉积介电层，这与先前展示的采用 AuSb 合金欧姆接触和原子层沉积介电层的增强型 SiGe/s-Si 结构形成对比。为了最小化热预算，采用了改进的注入、多晶硅形成和退火条件，以防止埋层 s-Si 层因 Ge/Si 相互扩散而被消除。
引用
@article{arxiv.1106.0337,
title = {Enhancement-mode buried strained silicon channel quantum dot with tunable lateral geometry},
author = {T. M. Lu and N. C. Bishop and T. Pluym and J. Means and P. G. Kotula and J. Cederberg and L. A. Tracy and J. Dominguez and M. P. Lilly and M. S. Carroll},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.0337},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 3 figures