n型金属氧化物半导体单电子晶体管的少电子极限
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v1
摘要
我们报道了采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术制备的n型硅单电子晶体管(SET)的电子输运特性。这些n-MOSSET构建于预工业级全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)技术中，硅厚度低至10 nm，晶圆尺寸为200 mm。通过电子束光刻对有源区和栅极层进行图形化，获得了标称沟道尺寸为20×20 nm²。在4.2 K下精确解析了库仑阻塞稳定性图，显示出数十meV的大附加能量。采用电流自旋密度泛函理论(CS-DFT)方法对量子点中电子的受限进行了建模。CMOS技术使得SET能够大规模生产，用于终极纳米电子学和基于量子变量的器件。
引用
@article{arxiv.1203.4811,
title = {Few Electron Limit of n-type Metal Oxide Semiconductor Single Electron Transistors},
author = {Enrico Prati and Marco De Michielis and Matteo Belli and Simone Cocco and Marco Fanciulli and Dharmraj Kotekar-Patil and Matthias Ruoff and Dieter P. Kern and David A. Wharam and Arjan Verduijn and Giuseppe Tettamanzi and Sven Rogge and Benoit Roche and Romain Wacquez and Xavier Jehl and Maud Vinet and Marc Sanquer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.4811},
year = {2015}
}
备注
4 Figures