双栅三层MoS$_2$中的电子输运
介观与纳米尺度物理
2021-04-30 v2
摘要
少层MoS的低能带结构关乎从光学到电子输运的广泛实验，其表征因复杂的多能带行为而具挑战性。我们通过磁输运实验研究双栅三层MoS的导带。总载流子密度由施加于MoS与顶、底栅电极间的电压调控。对于非对称偏置的顶、底栅，电子积累于最靠近正极板的层。由此，三层MoS可被调至在电学上表现为单层。相反，两栅均施加正电压会导致三层均被占据。我们对源自不同能带的Shubnikov--de Haas振荡的分析，使我们能归属顶、底层中相应的载流子密度。我们发现每个能带具有二重Landau能级简并，表明导带极小值位于第一布里渊区的 点。这与零层不对称下的能带结构计算（报道极小值在 点）相反。尽管层间隧穿耦合似乎不影响低能导带，我们在零层不对称时观测到电子在最外层间的散射。中间层因自旋-谷对称性（相邻层反演）而保持解耦。当最外层的能带在能量上共振时，发生层间散射，导致电阻增强与磁带间振荡。
引用
@article{arxiv.2104.08916,
title = {Electron transport in dual-gated three-layer MoS$_2$},
author = {M. Masseroni and T. Davatz and R. Pisoni and F. K. de Vries and P. Rickhaus and T. Taniguchi and K. Watanabe and V. Fal'ko and T. Ihn and K. Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.08916},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 8 figures