在商用生长的 Si/SiGe 异质结构上制备的双量子点中的单电荷传感与输运
介观与纳米尺度物理
2013-07-24 v2 量子物理
摘要
我们对三种商用调制掺杂 Si/SiGe 异质结构进行量子霍尔测量，以确定它们对耗尽栅定义量子点器件的适用性。通过调整生长参数，我们能够获得电荷密度为 1-3 X 10^{11}/cm^2 且迁移率超过 100,000 cm^2/Vs 的电子气。在这些异质结构上制备的双量子点器件在直流输运和电荷传感测量中表现出单电荷跃迁的明显证据，并在单量子点状态下表现出 100 mK 的电子温度。
引用
@article{arxiv.1112.3014,
title = {Single charge sensing and transport in double quantum dots fabricated from commercially grown Si/SiGe heterostructures},
author = {C. Payette and K. Wang and P. J. Koppinen and Y. Dovzhenko and J. C. Sturm and J. R. Petta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.3014},
year = {2013}
}
备注
Related papers at http://pettagroup.princeton.edu