异构结和 MOSFET 结构中三粒子簇的形成
强关联电子
2009-11-07 v2 超导电性
核理论
摘要
考虑了一种新型的相互作用机制，涉及二维气体（2D）中的区电子与绝缘体侧上的带电陷阱之间的相互作用。在施加正规变换后，排除了因陷阱子系统引起的哈密顿矩阵中的非对角项。这导致了一种有效的三粒子吸引相互作用以及 2D 电子能带内的配对相互作用。研究了三粒子 Bethe- Goldstone 方程，以阐明束缚及三粒子束缚态的能量特征。结果用于提供对最近在 MOSFET 和异构结中观察到的金属-绝缘体相变的可能解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0201077,
title = {Formation of three-particle clusters in hetero-junctions and MOSFET structures},
author = {E. P. Nakhmedov and K. Morawetz},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0201077},
year = {2009}
}
备注
4 pages