二维Schottky势垒二极管的静电特性与电流输运
应用物理
2017-04-26 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
最近展示的具有几个原子厚度的金属-半导体异质结显示出作为未来集成电路和纳米电子学的2D Schottky接触的前景。然而，用于3D Schottky接触的理论在这些低维系统上失效。在此，我们提出一个新模型，基于第一性原理计算的输入，给出了平衡条件下2D金属-半导体异质结上的载流子分布和电势分布。我们的计算还表明，在相同正向偏压下，2D石墨烯-磷烯Schottky二极管堆叠的电流密度可能比传统3D Schottky二极管高一万倍，并且提供更少的能量耗散。
引用
@article{arxiv.1704.07370,
title = {Electrostatic properties and current transport of two-dimensional Schottky barrier diode},
author = {Fangbo Xu and Alex Kutana and Yang Yang and Boris I. Yakobson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.07370},
year = {2017}
}