理想石墨烯-半导体肖特基结的修正二极管方程
介观与纳米尺度物理
2017-01-24 v3
摘要
本文对石墨烯/半导体肖特基接触的性质进行了理论和实验研究。我们提出了一个简单且无参数的石墨烯/半导体肖特基接触载流子输运模型，该模型源自量子统计理论，并通过量子Landauer理论和第一性原理计算得到验证。所提出的模型能够很好地解释不同类型石墨烯/半导体肖特基接触样品的实验结果。
引用
@article{arxiv.1503.02758,
title = {Revised diode equation for Ideal Graphene-Semiconductor Schottky Junction},
author = {Shi-Jun Liang and Lay Kee Ang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.02758},
year = {2017}
}
备注
4 pages 8 figures