面向传感器应用的基于纳米线的肖特基势垒场效应晶体管多尺度建模
介观与纳米尺度物理
2011-07-26 v1
摘要
我们提出了一个用于计算基于纳米线的肖特基势垒场效应晶体管中电荷输运的理论框架，该框架概念简单，但仍能捕捉输运过程的相关物理机制。我们的方法结合了不同长度尺度上的两种方法：(1) 使用有限元方法对真实器件几何结构进行建模，并通过求解泊松方程计算肖特基势垒上的静电势；(2) 采用 Landauer 方法结合非平衡格林函数方法计算器件中的电荷输运。我们的模型正确再现了场效应晶体管的典型 I-V 特性，并且饱和漏电流对栅极电场和器件几何结构的依赖性与实验吻合良好。我们的方法适用于任意器件几何结构的一维肖特基势垒场效应晶体管，旨在成为开发基于纳米线的传感器的仿真平台。
关键词
引用
@article{arxiv.1105.5342,
title = {Multiscale Modeling of Nanowire-based Schottky-Barrier Field-Effect Transistors for Sensor Applications},
author = {Daijiro Nozaki and Jens Kunstmann and Felix Zörgiebel and Walter M. Weber and Thomas Mikolajick and Gianaurelio Cuniberti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.5342},
year = {2011}
}
备注
8 pages, 8 figures