肖特基势垒二极管输运理论中的理想因子
材料科学
2012-04-03 v1
摘要
通过平面小波二次量子化表象，在完全量子力学层面上发展了一种用于研究空间非均匀系统电子特性的微观多体输运方法。研究发现，电流密度由统计平均的微观极化决定，而该极化依赖于电荷载流子的量子化位置与量子化动量。电子分布函数通过漂移、扩散和热电子发射以及完全量子力学穿越肖特基势垒的隧穿效应纳入多体效应。本文研究了电流-电压关系对半导体层厚度、中性区与耗尽层中的弛豫时间、肖特基势垒宽度及平均自由程的依赖关系。研究确立，理想因子是外加电压的函数，且取决于肖特基势垒宽度与耗尽层之间的关系。I-V特性获得欧姆性质时所对应的参数值取决于半导体参数。
引用
@article{arxiv.1204.0335,
title = {Ideality factor in transport theory of Schottky barrier diodes},
author = {A. A. Klyukanov and P. A. Gashin and R. Scurtu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.0335},
year = {2012}
}