肖特基势垒物理的第一性原理理论
材料科学
2021-08-04 v2
摘要
我们发展了肖特基势垒物理的第一性原理理论。泊松方程与静电电荷密度完全自洽地求解，且在常规密度泛函理论（DFT）电子结构迭代循环之外进行，从而能够完全基于DFT计算涉及半导体中数千原子层的肖特基势垒。体相中的感应电荷包含来自掺杂与能带弯曲的导带和价带电荷，以及来自半导体带隙中倏逝态的电荷。当感应电荷密度与感应静电势达到自洽时，即确定了肖特基势垒高度。
引用
@article{arxiv.2001.00710,
title = {First-Principles Theory for Schottky Barrier Physics},
author = {Dmitry Skachkov and Shuang-Long Liu and Yan Wang and Xiao-Guang Zhang and Hai-Ping Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.00710},
year = {2021}
}