SrRuO3/Nb:SrTiO3结中肖特基势垒的表征
强关联电子
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
利用内光电发射光谱法测定了0.01 wt%和0.5 wt% Nb浓度下整流SrRuO3/Nb掺杂SrTiO3结中的肖特基势垒高度。在推断内建电势时，特别是对于高Nb浓度，如果考虑了SrTiO3非线性介电常数的模型，则与从电容-电压测量推断出的势垒高度获得了良好的一致性。鉴于钙钛矿在内部/外部电场下的普遍极化率，内光电发射为界面电子结构提供了有价值的独立探针。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703358,
title = {Characterization of the Schottky Barrier in SrRuO3/Nb:SrTiO3 Junctions},
author = {Y. Hikita and Y. Kozuka and T. Susaki and H. Takagi and H. Y. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703358},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 3 figures