原始及镍掺杂 SrTiO$_{3}$ 薄膜的光电子能谱研究
材料科学
2020-11-26 v1
摘要
我们结合光电子能谱与第一性原理计算，研究掺 Ni 杂质 SrTiO 的结构和电子性质。在磁控溅射生长的 SrTiO 多晶薄膜中，晶粒平均尺寸随 Ni 浓度增加而增大。为确定掺 Ni 的 SrTiO 薄膜的电子能带结构，采用脉冲激光沉积制备了高质量的原始及 SrTiO3:Ni（x=0.06 和 0.12）有序薄膜。基于 Korringa-Khon-Rostoker 格林函数法得到的基态电子能带结构计算以及单步模型光发射计算，预测在 SrTiO 带隙中靠近价带顶处形成局域化的 杂质带。在 Ni2p 共振激发下测得的价带及能带色散证实了这些结果。
引用
@article{arxiv.2011.12648,
title = {Photoemission study on pristine and Ni-doped SrTiO$_{3}$ thin films},
author = {F. Alarab and K. Hricovini and B. Leikert and L. Nicolai and M. Fanciulli and O. Heckmann and M. Richter and L. Prušakova and Z. Jansa and P. Šutta and J. Rault and P. Lefevre and M. Muntwiller and R. Claessen and J. Minár},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.12648},
year = {2020}
}
备注
12 pages and 7 figures