对溅射沉积 LaNiO3 薄膜的激光 ARPES 研究
强关联电子
2020-06-16 v1 材料科学
摘要
关联过渡金属氧化物 LaNiO 的薄膜当其厚度减小到几个原胞时会经历金属-绝缘体转变。此处，我们使用角分辨光电子能谱研究一系列由 RF 磁控溅射原位生长的厚度为 19 至 2 u.c. 的外延 LaNiO 薄膜中跨越该转变的电子结构演化。我们的数据显示，当厚度减小到低于 5 u.c. 时，电子平均自由程强烈减小。这阻止了系统变为电子二维的，正如我们实验中基本未变的费米面所证实的。在绝缘态中，我们观察到相干准粒子峰的强烈抑制但无清晰能隙。这些特征类似于先前对 NdNiO 绝缘态的观测。
引用
@article{arxiv.2002.02276,
title = {A laser-ARPES study of LaNiO3 thin films grown by sputter deposition},
author = {Edoardo Cappelli and Willem Tromp and Siobhan McKeown Walker and Anna Tamai and Marta Gibert and Felix Baumberger and Flavio Y. Bruno},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.02276},
year = {2020}
}
备注
Submitted to APL Materials