在重掺 Nb 的 SrTiO3 衬底上制备的高质量全氧化物肖特基结
强关联电子
2009-11-13 v2
摘要
我们对外延 La0.7Sr0.3MnO3/SrTi0.98Nb0.02O3 肖特基结的电学性质进行了详细研究。采用了可将结尺寸缩减至当前电子器件尺寸的制备工艺。为抑制其串联电阻,使用了重掺杂半导体作为衬底。我们证明,与标准半导体不同,基于氧化物的高质量肖特基结在半导体掺杂浓度高于 cm 时仍保持高度整流特性。此外,这些结表现出滞回的电流-电压特性。
引用
@article{arxiv.0706.1620,
title = {High-quality all-oxide Schottky junctions fabricated on heavily Nb-doped SrTiO3 substrates},
author = {A. Ruotolo and C. Y. Lam and W. F. Cheng and K. H. Wong and C. W. Leung},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.1620},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 9 figures